该设备主要用于晶圆表面对光刻胶进行的mask图形套刻工艺。

1.支持8~12寸晶圆。

2.光罩板支持9/14寸石英材质或其他材质。

3.波长范围支持I,365nm/H,400nm/G,436nm。

4.光强均匀性＜5%。

5.曝光方式:接近/软接触/硬接触

6.对准精度:±3μm(12”)L/S分辨率:接触模式3μm, PR厚度1μm。

7.有减震台配置防止意外产生的震动。

8.可配置滤光器，DUV灯罩，碎片夹头,積算光量功能,功率计,底边对准系统等。